2月25日，记者从中国电科二所获悉，该所于近日成功研制出山西省第一片碳化硅芯片。
碳化硅具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优点，可有效突破传统硅基材料的物理极限，广泛应用于新能源汽车及其充电桩、大数据中心、轨道牵引、高压电网、新能源逆变等领域，成为我国重点发展的战略性先进半导体，对实现碳达峰碳中和具有重要的战略意义。
2021年9月，中国电科二所承担山西太原某实验室6英寸SiC芯片整线系统集成项目，该项目要求4个月内完成整线设备评估、选型、采购、安装、调试，并研制出第一片芯片。时间紧、任务重，二所凭借自身行业影响力和资源调配能力，一个月之内完成所需全部设备技术评估与选型，所有商务流程合规操作。
为按时间节点完成流片任务，项目团队苦干巧干拼命干，坚定信心高质量打赢项目攻坚战，各工艺段负责人平均每天工作16个小时，各设备负责人轮流坚守岗位，以踔厉奋发、笃行不怠的精神，为生产保驾护航。最终于水、电、气等配套条件完成后30日内，完成单机设备调试、碳化硅SBD整线工艺调试并成功产出山西省第一片碳化硅芯片，研制速度创造了国内第一。
山西省第一片碳化硅芯片，是落实山西省“十四五”规划将半导体产业打造成新支柱产业取得的阶段性成果。接下来，将进一步优化设计和工艺流程，研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片，提升性能指标、提高良品率，实现规模化生产。
